Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tecnología
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GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
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1.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
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5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
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25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
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2.5V @ 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
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2.1 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
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258 pF @ 50 V
Característica de FET
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Disipación de potencia (Máx.)
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Temperatura de funcionamiento
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-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
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Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
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Die
Paquete / Caja (carcasa)
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Die
