Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
1.7A (Ta)
14A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
45mOhm @ 1A, 5V
22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 800μA
2.5V @ 2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.15 nC @ 5 V
5.9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
115 pF @ 30 V
600 pF @ 100 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Die
Die
Paquete / Caja (carcasa)
Die
Die
