Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
31A (Ta)
16A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
-
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 30A, 5V
5mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 15mA
2.5V @ 6mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
17 nC @ 5 V
7.6 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1800 pF @ 300 V
805 pF @ 20 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Die
Die
Paquete / Caja (carcasa)
Die
Die
