Serie
eGaN
Automotive, AEC-Q101, eGaN
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
4A (Ta)
1.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
150mOhm @ 3A, 5V
80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 1mA
2.5V @ 600μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
0.83 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
+5.75V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
194 pF @ 240 V
88 pF @ 50 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Die
Die
Paquete / Caja (carcasa)
Die
Die
