Serie
eGaN
Automotive, AEC-Q101, eGaN
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
15 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
90A (Ta)
3.4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 31A, 5V
26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 16mA
2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
16 nC @ 5 V
1.1 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1780 pF @ 30 V
118 pF @ 7.5 V
Característica de FET
-
Standard
Disipación de potencia (Máx.)
-
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Die
Die
Paquete / Caja (carcasa)
Die
Die
