Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
4.1A (Ta)
9.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
520mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
-
5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
44 nC @ 10 V
38.4 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
850 pF @ 30 V
1000 pF @ 30 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
2W (Ta), 37W (Tc)
2W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FI(LS)
TO-220FI(LS)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
