Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
100A (Tc)
8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 20A, 10V
21mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
3.2V @ 250μA
900mV @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
100 nC @ 10 V
18 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4940 pF @ 40 V
1370 pF @ 6 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
215W (Tc)
2.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6)
6-DFN (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerSMD, Flat Leads
6-UDFN Exposed Pad
