Tecnología
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MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
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60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
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60A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
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4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
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15mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
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2.6V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
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67 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
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3500 pF @ 20 V
Característica de FET
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Disipación de potencia (Máx.)
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1.75W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
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150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
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Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
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TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
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TO-220-3
