Tipo FET
P-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
6.5A (Tc)
5.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
400mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V @ 250μA
4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
34.8 nC @ 10 V
5.29 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
-
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-39
TO-39
Paquete / Caja (carcasa)
TO-205AF Metal Can
TO-205AF Metal Can
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