Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
3A (Tc)
4.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2A, 10V
1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V @ 250μA
4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
5.75 nC @ 10 V
40 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
-
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
4W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-39
TO-204AA
Paquete / Caja (carcasa)
TO-205AF Metal Can
TO-204AA, TO-3
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