Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
12A (Tc)
1.25A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
500mOhm @ 12A, 10V
3.7Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V @ 250μA
4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
120 nC @ 10 V
12 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
170 pF @ 25 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
4W (Ta), 150W (Tc)
15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3
TO-205AF (TO-39)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-204AE
TO-205AF Metal Can
