Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
450 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
14A (Tc)
4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V @ 250μA
4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
110 nC @ 10 V
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
800 pF @ 25 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
4W (Ta), 150W (Tc)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3
TO-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-204AE
TO-204AA, TO-3
