Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
5.5A (Tc)
2.25A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.22Ohm @ 5.5A, 10V
1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (máx) a Id
4V @ 250μA
4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
39 nC @ 10 V
8.6 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
-
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
4W (Ta), 75W (Tc)
800mW (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-204AA
TO-39
Paquete / Caja (carcasa)
TO-204AA, TO-3
TO-205AF Metal Can
