2N657S
2N657S
Active
Descripción:  POWER BJT
Fabricante:  Microchip Technology
Ficha de datos:   2N657S Ficha de datos
Precio histórico: $38.83500
En stock: 4000
2N657S vs 2N6675
Pieza Mfr
Serie
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Embalaje
Bulk
Bulk
Estado
Active
Active
Tipo de transistor
NPN
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Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
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Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
40 V
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Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
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Corriente - Corte de colector (Máx.)
10μA (ICBO)
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Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
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Potencia - Máx.
600 mW
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Frecuencia - Transición
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Temperatura de funcionamiento
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
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Tipo de montaje
Through Hole
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Paquete / Caja (carcasa)
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
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Paquete del dispositivo del proveedor
TO-5AA
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